种籽层
虽然可以使用溅射或CVD淀积淀积铜、电化学镀膜(ECP)已成为优选的淀积方法。用ECP生产均匀的、无空洞的铜薄膜要求在通孔／沟槽洞里有一一个起始的“种籽”（seed）层。使用PVD技术淀积在通孔中的铜种籽。正像在阻挡层/衬垫层淀积中一样，在一个非常大的深宽比通孔内产生一个均匀层是一个挑战。
电化学镀膜（ECP）
由于电镀的低温和低成本，它已成为产生铜淀积的方法如果用于低恧介质层，必须是低温。种籽层必须均匀地覆盖在通孔／沟槽的底部和侧面以确保铜金属导线的物理和电特性均匀。铜的电镀已成为印制电路板（PCB）主流工艺几十年了（参见下图）。将晶圆悬在含硫酸铜池中，并和阴极（负电极）相连。通过施加电流，池中的成分分离。铜镀在晶圆外面，同时氢气在阳极释放。一个关注点是晶圆整片的均匀性。在晶圆表面上的材料和结构的变化降低均匀的电流分布。其结果可能是不均匀的生长和密度。另一个关注点是在开口边缘处形成斜角。可通过淀积后分别的清洗步骤解决这一问题。大多数工艺还包括在CMP之前的ECP后使膜稳定。在品圆表面的不均匀区域在CMP工艺中将有不同的去除速率。生产级的ECP系统将包括晶员预清洗、电镀部分、斜角去除和退火。
化学机械工艺
在半导体工艺中，有几步使用化学机械工艺(CMP)。在前面，描述了它在硅晶圆原材料平坦化的应用。在另外一期，我们描述了它在工艺中平坦化晶圆，其目的是为了光刻精度而获取平坦的表面。铜后CMP是一个类似的工艺，但是有不同的表面要被平整平坦。在铜电镀过程中，通孔/沟槽孔过度填充以取保沟槽被完全填充。在进行下一步工艺之前，必须通过去除溢出的铜将表面重新平整。工艺和细节已在前面讨论。
掺杂多晶硅
硅栅MOS技术出现将在芯片上淀积的多晶硅线条变成了导体。为了作为导体使用，多晶硅必须被掺杂以增加其导电性。一般，首选杂质是磷，由于它在硅中有高的固熔度。掺杂可以用扩散、离子注人或在LPCVD过程中原位掺杂。其差异与在晶粒结构方面的掺杂温度效应相关。温度越低，陷在多晶晶粒结构里的杂质量越大，在那里它们不能参与导电。这是离子注人所具有的情况。扩散掺杂导致最低的薄膜方阻率。由于晶界俘获，原位CVD掺杂有最低的杂质载流子迁移率。
掺杂多晶硅具有与硅晶圆好的欧姆接触的优势，并能被氧化形成绝缘层。多晶硅氧化膜的质量低于生长在单晶上热氧化膜的质量，这是因为生长在粗糙的多晶硅表面的氧化膜的不均匀性所致。
虽然多晶硅与硅有低的接触电阻，它依然展示出比金属材料高得多的电阻。可使多层金属堆叠在多晶硅和硅化物（如钛硅化物）上。这些被称为多晶硅化物（参见后面）。
金属薄膜的用途
MOS栅极和电容器极板
大多数的电器元件都依靠电流的流动来工作。然而电容器是一个例外。它（参见后面）由两个被绝缘电介质层隔开的电极板导电层所构成。在大多数的设计中，上部的电极板是导体金属系统的一部分。关于电容器参数关系的讨论己在前面有所说明。
MOS晶体管就是一个电容器的结构，其上部电极被称为栅极（gate），它在MOS集成电路中起着一个非常关键的作用。