熔丝

 

薄膜熔丝技术的发展使得可编程只读存储(PROM)集成电路的制造成为可能。熔丝允许对芯片存储部分的数据进行现场编程。在这种情况下,熔丝不是一个保护性的元件,就像在大多数的集成电路中一样,而是扮演一种在特定情况下被“熔断”或不可用的角色。

 

芯片的存储部分称为阵列,它由大量的存储单元组成,每个单元都通过一根熔丝和金属化系统相连。从本质上讲,阵列是一个空白的黑板(参见下图)。通过对一些存储单元进行操作而不对另一些单元操作,运用数字化的形式(开/关)把信息编码存人存储阵列。非工作单元的形成通过断开熔丝来实现,从而把它们从集成电路中移除。同样的系统可以被用来编写逻辑阵列。(参见下图)。一旦熔断丝断开,从电的角度看,与之相连的存储单元就永远从集成电路中去除了。

 

通常有两种基本的熔丝配置。一种是由镍铬耐热合金、钛钨合金或盖有两层金属导线的多晶硅组成,它被制成有一个细“脖子”的形状,这样的话,在金属线上直接通一个电流脉冲就可使之断开。另一种熔丝方案就是在连接孔里使用多晶硅或其氧化物的薄膜。当大电流通过这些薄膜的时候,产生的热量就会使之断开。

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背面电镀

 

人们有时会在晶圆分检前用蒸发的方法把金淀积在晶圆背面。在某些封装工序中,金起一种焊接材料的作用(参见后面)。

 

淀积方法

 

金属化工艺技术,就像其他制造工艺一样,由于集成电路发展的需要和新材料的出现,它也经历了一个改善和进化的过程。直到20世纪70年代中期,金属淀积的主要方法仍然是真空蒸发。铝、金和熔丝金属都通过这个技术来淀积。由于淀积多金属系统和合金的需要,以及对金属淀积的台阶覆盖度的更高要求,这使得溅射技术成为了电路制造的标准淀积方法。而难熔金属的应用,使金属化工艺发展出了第三种技术一CVD技术。对于各种技术进行金属淀积的一些基本问题,将在接下来关于真空蒸发部分讨论。