金属化学气相淀积
由于低压化学气相淀积(LPCVD）具有诸多优点，因此它为金属淀积提供了第三种选择。LPCVD有许多优点，它不但不需要造价昂贵、维护复杂的高真空泵，而且提供了共形台阶覆盖和高的生产效率。或许最常用CVD淀积的难熔金属膜是钨（w）。
钨可以用于各种元件构造，包括接触阻挡层、MOS管的栅极互连和通孔塞。通孔填充是形成有效的多金属层系统的关键（参见下图）。绝缘层比较厚，而通孔相对细一些（深宽比大)。这两个因素有助于较难的连续金属淀积通孔，而且不会使通孔中金属变细。选择CVD淀积钨塞来填充整个通孔，而且为接下来的导电金属层淀积提供了平整表面。钨作为阻挡层金属，它的淀积可以通过硅与六氟化钨(WE)气体进行反应。其反应式为：
钨还可以通过WF6的有选择地反应淀积在铝和其他材料上。这个工艺被称为衬底缩减（substrate reduction）。钨可以通过WF6和H2生成，其反应式为：
以上所有淀积都是在LPCVD系统中进行，温度大约为3閬℃。这可以与铝金属化工艺相兼容。硅化钨和硅化钛层的工艺反应式为：
真空泵
低压化学气相淀积、离子注入、蒸发和溅射工艺都是在低压（真空）反应室中进行的（参见第2章）。真空反应室提供没有污染气体的工艺条件。在薄膜淀积工艺中，真空环境增加了淀积的原子和分子的平均自由程，这提高了薄膜淀积的均匀度和可控性。LPCVD是在低至10的负三次托（中真空）的压力范围内进行的，然而其他工艺是在低至10的负九次托（高真空到超高真空）的压力范围内进行的。中真空可以通过机械真空泵来获得。而在高真空工艺反应室，这些机械泵可以用在起初的减压阶段。在这种情况下，将其称之为粗抽泵。另外，我们还可以将机械真空泵用在高真空泵系统的出气端，帮助气体分子从泵转移到废气排放系统。
在粗真空建立之后，高真空泵接替完成最终的真空的建立。这种高真空泵可以是油扩散泵（diffusion）、低温泵（cryogenic）、离子泵（ion)或涡轮分子泵（tu0m0u）。无论是哪种泵，它们都是由特殊材料制成，不会向系统漏气（out gas），破坏真空。典型材料有3号不锈钢、无氧高导性铜〈OFHC)、科瓦铁镍钴合金、镍、钛、硼硅酸玻璃、陶瓷、钨、金和某些低挥发的人造橡胶。有些泵用于抽取腐蚀性和毒性气体或反应后的副产品，它们必须对内壁无腐蚀。而且，我们在维护这些泵时要十分小心。
在选择和使用泵时有许多原则，它们是：
- 要求的真空度
- 所抽气体（像氢气一样轻的气体很难被抽出）
- 抽气速率
- 总的抽气量
- 处理冲击负载的能力（周期性外溢气体）
- 抽取腐蚀性气体的能力
- 服务和维护要求
- 停机时间
- 成本
回顾前面，系统压力是指在封闭环境中，气体原子或分子在分子间力作用下，撞击反应室壁从而产生的压力。系统压力减小要求反应室内的气体移出。这基本上是由泵来完成的。首先，在泵内部，建立较低的压力，允许工艺反应室的气体流人泵，从而抽走整个系统的气体。在非常低的气压下，反应室内物质很少，继续减压就要求系统既无泄漏，也不能继续充进气体升压。某些系统采用收集器来阻止泵室中的材料回流（backstreaming)到反应室。在“油扩散泵”一节中将对冷收集器进行介绍。