同样，气体中掺杂物也是影响成核大小的因素。在许多器件或电路中，起着导体作用的带状多晶硅，需要采取掺杂的方式减小电阻率。掺杂可采取扩散的方式，在淀积的前后或注人工艺时进行。
通过将掺杂气体加人到反应气体中，并同时流人反应室，在淀积的同时形成原位掺杂。当加人乙硼烷（硼源）时，淀积率则有较大提高。当磷烷（磷源）或砷烷（砷源）作为掺杂气体时，其效果则相反。原位掺杂所不希望的效果是薄膜的均匀性、掺杂的均匀性和掺杂率的控制上的损失等。
由于掺杂剂嵌人到成核的边界引起电阻率的降低，掺杂的多晶硅薄膜的电阻率小于那些同等掺杂量的外延硅或体硅。
大多数的多晶硅层是采用LPCVD系统进行淀积的。该系统提供了良好的生产效率和较低的淀积温度。由于多晶硅通常在稍后的工艺流程中淀积，并且表面随着地形而变化，所以，LPCVD提供了良好的台阶覆盖性（参见下图）。单反应室多晶硅LPCVD系统提供了比较高的淀积率而无须较高的温度。
SOS和SOI
SOS和SOI这两个缩写字代表Silicon On Sapphire和Silicon On Insulatore两者都是指在非半导体表面淀积硅。对此结构的需求产生于在有源器件下的半导体基底存在对一些MOS器件的限制。这些问题可通过在绝缘的基底上形成硅层来解决。应用于此的第一个基底是蓝宝石（SOS）。随着对不同基底的研究，该条目便被延伸到更为通用的绝缘体硅上(SOI）。
一种方法是在基底上直接淀积，此后通过再晶体化过程（激光加热，条形加热器，氧气注人）形成有用的薄膜。另一种方法是在表面氧化物上的孔内进行选择性的淀积，过生长后形成连续的薄膜。
另外的SOI方法是SIMOX0在这种工艺中，晶圆的顶层被转化成富氧注人的氧化物。外延层生长在氧化物上。有一些键合晶圆（bonded wafer）的研究，这种方法是使两个晶圆合在一起，然后对其中之一减薄（研磨和抛光）到器件层所需的厚度。
在硅上砷化镓
砷化镓是一种被大量使用的Ill-v族半导体材料。然而，它易碎，并且其晶圆直径限制在4英寸（102mm）。在硅晶圆上生长砷化镓的尝试已经突破彼此晶格失配。在生长工艺中，失配引起使器件性能退化的位错。一种新方法是首先在硅晶圆上生长一个薄的钛酸锶膜。它与硅反应形成无定型的二氧化硅层。当淀积化镓膜时，二氧化硅层起到吸收失配的衬垫作用，如此可以形成一个单晶层。
绝缘体和绝缘介质
淀积薄膜中最常用的方法是CVD，其在器件或电路中的作用为绝缘体或绝缘介质。应用广泛的两种薄膜是二氧化硅和氮化硅。通常，在器件和电路的设计中，它们的用途具有多样性。虽然它们存在工艺和质量上的差异，但它们可以满足与其他淀积膜类似的综合性要求。
二氧化硅：淀积的二氧化硅膜是作为覆盖整个晶圆的最终一层钝化膜，这一点在长期的应用中已成为共识。作为饨化膜，它们起到对电路器件和组件的物理及化学性能上的保护。人们熟知的用做顶层保护层的淀积二氧化硅膜有vapox、pyrox或Silox等术语。Vapox（气相淀积的氧化膜）是由Fairchild工程师创造的术语。pyrox代表Pyrolitic氧化物。Silox是应用材料公司注册的商标，有时该层简称为玻璃。随着保护作用的扩展，在多层金属结构中，淀积的二氧化硅用做多层金属设计中的中间绝缘层，多品硅和金属之间的绝缘层、掺杂阻挡层，以及扩散源隔离区域。二氧化硅已经成为硅-栅结构中的主要组成部分。